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無水四碘化錫為橙紅色立方晶體,當產品不純時其外觀為橙紅色針狀結晶，屬共價化合物，熔點145.75 ℃, 沸點364.5 ℃, 180 ℃時就有較大的蒸氣壓，較易水解，易溶于丙酮、苯、三氯甲烷、四氯化碳、無水乙醇、熱的石油醚、熱的冰乙酸等有機溶劑中, 在冷的石油醚和冷的冰乙酸中溶解度較小。四碘化錫具有較強的殺菌作用，主要用于制造有機錫配合物。
四碘化錫不宜在水溶液中制備, 除采用碘蒸氣與金屬錫的氣-固相直接合成外, 一般可在非水溶劑中制備。稱取 0.6000g 干燥的錫片和1.5000g 研細的碘置于潔凈干燥的150mL 圓底燒瓶中, 加入20mL 溶劑,裝上回流冷凝管和干燥管, 置于油浴上在一定溫度下加熱回流, 調節冷凝水量使紫色蒸氣處于第二個冷凝球以下, 保持回流狀態一定時間。冷卻、抽濾 ,得到四碘化錫產品。反應完成后 ,立即傾出四碘化錫溶液,用丙酮清洗未反應的錫片 ,干燥后稱量剩余錫的質量. 四碘化錫的轉化率按下式計算:
以四氯化碳為溶劑, 在 130 ℃反應 2h，至體系無色，測定錫的轉化率為 100 %，以此計算四碘化錫的最簡式為: SnI4. SnI4 產品的紅外光譜圖見圖 4 。
由圖 4 可見，SnI4 在紅外區的吸收很弱, 只在 1065.7cm-1處有一很小的吸收峰( 這可能與 SnI4本身為紅色有關),顯示為 Sn -I 伸縮振動吸收峰。
SnI4 產品的 DSC( 差示掃描量熱法) 曲線見圖 5。
由圖5 可見，四碘化錫的熔點為145.75℃,相應的純度為99.74 %。
二維晶體是由幾層單原子層堆疊而成的納米厚度的平面晶體，具有獨特的電學、 光學以及磁學等特性，并有著自身獨特的結構優勢，因此常見的二維材料如石墨烯、硅烯、二硫化鉬以及黑磷烯等，都受到了科學家們的廣泛關注。
石墨烯在諸多領域都展現了優異的特性，其電子遷移率高，具有良好的應用前景。但是石墨烯價帶與導帶之間沒有帶隙，帶隙的存在能使材料實現電子流的開與關，是電學應用的關鍵。而且石墨烯與硅不相容(與硅的相容性有望促進硅光子元件技術的發展，芯片能夠實現以光而非電子來傳遞數字信號)，這使得其在光電器件的應用方面具有局限性。零帶隙特性是限制石墨烯在納米電子器件和 光電子器件上發展的主要因素，目前已有研究者對調控帶隙以滿足器件應用要求進行了大 量的研究工作，并且也取得了應進展。
硅烯也是一種主要的二維材料，但其在空氣中極不穩定，必須依附特殊的基質生長，這一特性也阻礙了硅烯的實際應用。過渡金屬二硫化物 (TMD)是近年來提出的一種二維材料，其塊體是間接帶隙半導體，單原子層可變成直接帶隙 半導體，但其電子遷移率低，通過改良后較好。用化學氣相沉積法能夠生成大面積均勻原子層薄膜，使之在光學元件，如光電探測器、光發射器等方面應用更為廣闊。黑磷是一種類似于石墨的波形層狀結構晶體，原子層間通過范德華力結合，易于 被剝離成單層或少層的納米薄片。在單原子層中，每個磷原子與相鄰的3個磷原子形成具有 共價鍵的褶狀蜂窩結構。黑磷烯是天然的P型半導體，價帶電子躍遷至導帶時，為豎直躍遷，電子波矢不變，因此其具有直接帶隙，且無論剝到多少層皆是直接帶隙，帶隙可由層數在30 層至單層范圍。并且其具有明顯的各向異性，在z方向上的彈性模量較小，且晶體電子的有效質量輕。本發明所述一種二維晶體黑磷烯的制備方法，包括以下制備步驟：
（1）取紅磷、鋅化銀和四碘化錫備用；
（2）取紅磷，鋅化銀和四碘化錫充分混合后，一同密封在內徑為10mm的石英管內，置于 單溫區爐中升溫至400-800℃并恒溫15-40h；
（3）以40-80攝氏度每小時的降溫速率將單溫區爐降溫至400-600℃后，在4h內快速降 至室溫，抽真空至壓強小于0.05-1.0Pa后封管；
（4）加熱石英管中原料端溫度至150-300℃，再用1-3h升溫至500-800℃后保溫5-8h，然后用6h降溫至200-400℃后保溫2天，最后降至室溫。
[1]吳仁濤,張欣,李震.四碘化錫的制備及性質[J].臨沂師范學院學報,2004(03):47-50.
[2]CN201711066858.8一種二維晶體黑磷烯的制備方法