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12025-32-0 / 硫化鍺的應用

背景及概述[1][2]

硫化鍺具有獨特的光學和電子變速性能,以及其高穩定性、儲量豐富、環境友好、低毒等性能,更為重要的是其禁帶寬度小,硫化鍺薄膜具有吸收單電子的多態激子的潛力,有望應用于新型光電探測器件。由于鍺和硫的熔點和沸點均具有較大差距,同時,又由于在硫和鍺的反應過程中易生成硫化鍺及其他鍺的化合物,而想將其應用于器件,比較好的辦法是將其制備成薄膜,迄今為止,還沒有有效地能大面積制備一硫化鍺薄膜的方法報道。

理化性質[1]

雖然硅與鍺同屬于一個主族元素,但鍺易與硫生成硫化鍺和二硫化鍺,而硅則不與硫直接反應生成硫化物。鍺的硫化物特別是硫化鍺的升華揮發溫度較低,約800-1000℃,因此只要將高硅鍺原料中的鍺暴露出來,不被包裹,并有充分的元素硫與之結合,800℃左右就能反應生成硫化鍺升華揮發出來。隨著溫度升高,硫化鍺與硫接觸生成二硫化鍺,這時的二硫化鍺沒有升華特性,但在1000℃左右仍然能大量揮發出來。再提高溫度,對硫化鍺的揮發意義不大,反而會使二氧化硅熔融,產生包裹現象,降低硫化鍺的揮發率。

二氧化鍺是微波輻射的透過體,不吸收微波輻射,但硫化鈉,硫單質及反應生成的硫化鍺,硫化鍺是高吸收微波輻射的物質,因此當采用微波輻射進行硫化揮發時,只有其中的硫化物選擇性吸收微波輻射,產生瞬間高溫,使鍺與硫反應生成硫化鍺,而硫化鍺繼續吸收微波輻射,達到升華和揮發的溫度,微波輻射透射性很強,而且均勻,硫化鍺的揮發效率高,也不會產生過高的局部高溫,所得的主要是硫化鍺,利于后續工序處理,較之煙化爐,回轉窯的間接加熱方式和通過介質進行熱傳導優越。用煙化爐或回轉窯進行硫化揮發,由于是以燃料燃燒提供熱量,不可避免地產生部分硫化鍺的氧化,因此得到的是硫化鍺與氧化鍺的混合物。

硫化鍺的應用

日前,美國科學家最新設計了一種微型電池,這種微小粉紅色納米結構可以徹底顛覆傳統電池設計,以獨特的表面結構存儲能量。這種“納米花”是由硫化鍺(一種半導體材料)制成,其花卉外形以更小的空間具有更多的表面結構來存儲能量,這將成為理想的能量存儲應用,例如智能手機電池。

應用[3]

一種一硫化鍺薄膜制備方法,步驟如下:

1)稱取20mg的硫化鍺粉末放入30mL的乙醇溶液中,使用超聲波清洗機超聲震蕩15min,加入聚苯乙烯,形成紫黑的懸濁液。

2)將懸濁液平均倒入兩只離心管中,放入離心機中離心7min,離心機的轉速為2000r/min,離心后取上層清液于50mL的燒杯中。

3)稱取10mg的碘粉加入離心得到的上層清液中,再次超聲震蕩10min,使碘粉顆粒充分分散在乙醇中。

4)將需要沉積硫化鍺薄膜的ITO基片連接直流穩壓電源的負極,將金屬鉑片連接直流穩壓電源的正極,然后將金屬鉑片與ITO基片保持平行并浸沒在硫化鍺粉末與碘的懸濁液中,二者間距1cm左右,如1.1cm。

5)打開直流穩壓電源,調節電壓為30V,施加在ITO基片與金屬鉑片之間,注意正負極不要接反,并開始計時5min。

沉積開始以后,可以在直流穩壓電源的顯示器上看到有電流示數產生,這說明有硫化鍺顆粒正在ITO基片上沉積。計時結束后將ITO基片從懸濁液中取出來,然后在電熱鼓風干燥箱中烘干,去除薄膜表面的碘雜質,從而得到純凈的硫化鍺薄膜。

制備[2]

(1)將質量比為2:1的碳酸鈣和純度水平為99.5%的單質鈣的混合物和質量比為4:3:3的純度水平為99.9%的鍺粉、二氧化鍺、一氧化鍺的混合物以摩爾比為1:1的量裝載到石英管中,在真空封管機上排出至毫托壓力,在真空下利用氫氧焰炬密封,在1000℃下退火20小時,冷卻至室溫后,將反應產物在20w%的HCl溶液中攪拌5天,溫度控制在-20℃,得到產物后,依次用超純水,甲醇洗滌,干燥得到純化的鍺多層石墨烯類似物GeH。

(2)將上述產物GeH和純度水平為99.5%的硫粉以1:5的摩爾比添加到石英管中,利用真空封管機,在真空下密封,然后在800℃下退火8小時,冷卻至室溫后,依次用二硫化碳和超純水洗滌,干燥,得到層狀硫化鍺。

主要參考資料

[1]徐鍵, 夏海平, 張約品, 章踐立, & 王金浩. (2004). 不同先驅體溶膠-凝膠法制備的硫化鍺玻璃薄膜. 硅酸鹽學報, 32(8), 1029-1032.

[2] 顧少軒, 馬志軍, 潘瑞琨, 陶海征, & 趙修建. (2008). 脈沖激光沉積硫化鍺-硫化稼-硫化鎘非晶薄膜的結構和性能. 硅酸鹽學報(12), 1725-1729.

[3] Shaoxuan, Haiping, Haizheng, ZHAO, & Xiujian. (2005). Properties and microstructure of ges2-ga2 s3- cds glasses. 武漢理工大學學報:材料科學英文版, 20(4), 120-122.

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