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目前，封裝基板材料主要采用氧化鋁陶瓷或高分子材料，但隨著電子產品的小型化，使集成電路(IC)和電子系統在半導體工業上也朝向高集成密度以及高功能化的方向發展。因此，如今對于電子零件的承載基板要求越來越嚴格，其中，高熱導率更加成為電路高度集成化和小型化的突破口，氧化鋁陶瓷基板也越來越難以滿足發展要求。由于AlN具有良好的物理和化學性能逐步成了封裝材料的首要選擇。
1.耐熱沖和熱交換材料
氮化鋁陶瓷室溫比較強度高，且不易受溫度變化影響，同時具有比較高的熱導系數和比較低的熱膨脹系數，是一種優良的耐熱沖材料及熱交換材料，作為熱交換材料，可望應用于燃氣輪機的熱交換器上。
2.耐熱材料
由于氮化鋁具有與鋁、鈣等金屬不潤濕等特性，所以可以用其作坩堝、保護管、澆注模具等。將氮化鋁陶瓷作為金屬熔池可以用在浸入式熱電偶保護管中，由于它不粘附熔融金屬，在800~1000℃的熔池中可以連續使用大約3000個小時以上并且不會被侵蝕破壞。此外，由于氮化鋁材料對熔鹽砷化鎵等材料性能穩定，那么將坩堝替代玻璃進行砷化鎵半導體的合成，能夠完全消除硅的污染而得到高純度的砷化鎵。
3.微波衰減材料
微波衰減的研究應用已經逐漸從軍事方面向人們的日常生活方面滲透，如人體安全防護，雷達探測和波導或同軸吸收元件。它的本質就是在介質內部，通過極化這種物理機制將微波能量轉化為熱能并經由材料本身將熱能交換到外界環境中去，被越來越多的應用到大功率微波電真空器件中。
AlN的介電損耗值較低，為了使之適合作為微波衰減材料，通常添加導電性和導熱性都良好的金屬或者陶瓷作為微波衰減劑制備成Al N 基的微波衰減陶瓷。目前研究中所涉及到的導電添加劑有碳納米管、TiB2、TiC以及金屬Mo、W、Cu等。
總之，AlN陶瓷材料在電子領域和電力、機車、航空和航天、國防和軍工、通訊以及眾多工業領域都具有廣闊的應用前景和廣泛的潛在市場。