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氮化鋁為灰白色正交晶系或六方晶系結晶，在濕空氣中有氨味。熔點2200℃(0.45MPa、氮氣流中)，沸點(分解)，莫氏硬度9～10度。室溫下強度高，隨溫度的升高，強度下降，彎曲強度30～40Pa。遇水分解為氫氧化鋁和氨：
本品導熱性好，膨脹系數小，抗熔融金屬的腐蝕能力強，電絕緣性優良，介電性好。
①在氮氣流中加熱鋁土礦和焦炭。
②在150℃將高純鋁脫脂后，放入鎳盤中，置于石英反應管中，在純氮氣流中加熱至820℃ 左右，激烈反應，反應完畢，繼續在氮氣流中冷卻，由于產品中有未反應的鋁，粉碎后，再次在氮氣流中加熱至1100～1200℃，反應完畢，可制得。
③將三氯化鋁合氨(AlCl3·NH3)在氮氣流中進行熱分解，也可制得。
④純鋁粉和氨氣在800～1000℃下合成。
⑤以碳化鋁為原料，在氮氣流中加熱，可制得。
可以用作砷化鎵表面的氮化鋁涂層(氣相沉積)；耐熱沖擊材料；耐高溫材料；電器元件；六方晶系氮化硼轉變為立方晶系氮化硼的催化劑；集成電路高密度化的耐熱材料。
氮化鋁(AlN)以其優異的高熱導率、低介電常數、與Si相匹配的熱膨脹系數及其它優良的物理化學性能受到了國內外學術界和生 產廠家的廣泛關注，被譽為新一代高密度封裝的理想基板材料。其熱導率在160?230W/mk，已經在大功率模塊電路、開關電源以及其他需 要既絕緣又高散熱的大功率器件上，以及作為手提電話微電路芯片承 載基板而被廣泛應用。目前陶瓷基板的成型主要有流延、干壓和冷等靜壓等成型方法。
目前用的較多的成型方法是流延成型，如一項現有技術中公開了一種用流延法制造高熱導率即成電路氮化鋁陶瓷基片的方法，該技 術中氮化鋁片的制備方法主要有以下幾個步驟：
1)在氮化鋁粉中按 比例加入燒結助劑，攪拌均勻；
2)在1得到的粉體中按比例加入增塑 劑、懸浮劑、粘結劑和溶劑后，經振磨，制成混合均勻的漿料；
3) 將上述漿料通過流延成型機制成陶瓷坯帶，并烘干成固體坯帶，將坯帶裁制成坯片；
4)將坯片送入燒結爐內燒結；
5)燒結后的基片冷卻 后得到陶瓷片。流延法成型生產效率最高，且易于實現生產的連續化和自動化，可改善產品質量，實現大批量生產，但是流延法制備陶瓷基板對工 藝要求非常嚴格，并且，通過流涎法獲得的產品密度較低。
有人想到用干壓的方法制備氮化鋁陶瓷基板，如一項現有技術中 公開了一種采用干壓的方法制備氮化鋁陶瓷的方法，該方法包括：
1) 將氮化鋁粉末、混合燒結助劑混合均勻得到原料粉末；
2)在上述得 到的粉末中加入粘結劑后造粒；
3)將上述得到的粉體在壓力機上成 型；
4)對坯片進行排膠；
5)燒結及后續處理得到氮化鋁陶瓷零部件。干壓成型具有操作方便，生產周期短，效率高，易于實現自動化 生產的特點。但干壓成形用于大面積(如5cm*5cm)的制品的生產時， 產品的致密度不均勻，熱導率較低。
CN200910190563.0提供一種同時具備導熱率好、致密度高的氮化鋁陶瓷的制備方法以及通過這種方法制備的氮化鋁陶瓷。為此本發明中提供了一種氮化鋁陶瓷的制備方法，包括以下步驟：
1)稱取氮化鋁粉、燒結助劑、增塑劑、粘結劑、潤滑劑、混合配制 成混合物；
2)對1步驟中所制得的混合物依次進行過篩、加壓造粒、過篩，獲 得氮化鋁陶瓷原料；
3)將步驟2中獲得的氮化鋁陶瓷原料，放入模具中進行熱壓，獲得 氮化鋁陶瓷坯；
4)將步驟3中制備的氮化鋁陶瓷坯在450?600℃下保溫2?5h；
5)將步驟4中制備的氮化鋁陶瓷在真空條件下，通入氮氣，在 1650?1900℃的條件下燒結，并保溫后，冷卻至室溫，獲得氮化鋁陶瓷。 同時還提供了一種根據上述方法制備的氮化鋁陶瓷，該氮化鋁陶瓷包括氮化鋁和燒結助劑，其中，氮化鋁采用純度在98％以上的氮化鋁粉，燒結助劑為稀土金屬氧化物、堿土金屬氧化物、金屬氟化物中的一種或多種，該氮化鋁陶瓷的密度為3.35?3.39g/cm3，該氮化鋁 陶瓷的導熱率為160?180K/m.k。與現有技術相比，通過本發明所提供的方法制得的氮化鋁陶瓷具備在致密度高的條件下同時具備導熱率好的特點。
[1] 實用精細化工辭典
[2]CN200910190563.0氮化鋁陶瓷的制備方法及采用該方法制備的氮化鋁陶瓷