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三氟化氮在半導體工業中主要用于化學氣相淀積(CVD) 裝置的清洗。三氟化氮可以單獨或與其它氣體組合，用作等離子體工藝的蝕刻氣體，例如NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蝕刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蝕刻，也用于NbSi2的蝕刻。
三氟化氮是微電子工業中一種優良的等離子蝕刻氣體。對硅和氮化硅蝕刻，采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性，而且對表面無污染，尤其是在厚度小于1.5 um的集成電路材料的蝕刻中，三氟化氮具有非常優異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，同時也是非常良好的清洗劑。
三氟化氮的主要生產工藝有化學法和熔鹽電解法。其中化學合成法安全性高，但具有設備復雜、雜質含量多的缺點；電解法更容易得到高純度產品，但存在一定的浪費和污染。目前，日本與國內生產高純三氟化氮的廠家大多采用NH4H氟氣熔融鹽電解法，而歐美國家則一般采用直接化合法。
我國NF3生產商主要有中船重工718所、奧瑟亞新材料(韓國OCI)、愛思開新材料(韓國SK)、曉星新材料(韓國曉星)及黎明大成(黎明院與韓國大成合作建廠)。當前718所及下屬派瑞特氣為國內最大的NF3生產商。
2018年，全球三氟化氮市場用量為2.83萬噸，預計到2021年全球三氟化氮市場需求量在4萬噸左右。2018年，國內三氟化氮市場用量為7405噸，隨著半導體、顯示面板行業生產及消費重心逐漸向中國大陸轉移，加上生產三氟化氮的主要原料均由國內供給，兩頭在內的供應鏈格局決定了三氟化氮生產應用向國內轉移是大勢所趨，預計2021年國內三氟化氮需求將達到近1.6萬噸，占全球約40%，2018-2021年CAGR約為29%。
2019年全球三氟化氮產能約為3萬噸/年，中國企業產能超過1/3，供需處于基本匹配的狀態。目前，三氟化氮主要生產廠家集中在韓國，國內的三氟化氮產能則集中在718所和黎明院。其中：中船重工718所是國內最大的三氟化氮生產企業，現有產能6000噸/年，二期項目預計2020年達產，擴產后三氟化氦產能將達到15000噸/年。昊華黎明院與與韓國大成產業氣體株式會社(DIG) 合作開展的三氟化氮項目，現有年產能達2000噸/年。目前黎明院已掌握電子級三氟化氮生產技術，擬新建3000噸/年三氟化氟產能，預計2021年達產。另外，山東飛源現有500噸/年三氟化氮產能，并有在建產能4000噸/年，產能擴建項目于2016年環評公示。
